FQD12P10TM-F085
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onsemi FQD12P10TM-F085
| Artikelnummer: | FQD12P10TM-F085 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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| 10+ | $1.092 |
| 100+ | $0.8513 |
| 500+ | $0.7033 |
| 1000+ | $0.5552 |
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onsemi FQD12P10TM-F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQD12P10TM-F085.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-252AA Serie Automotive, AEC-Q101 Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 4.7A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.4A (Tc) Grundproduktnummer FQD12P10 FQD12P10TM-F085 Einzelheiten PDF [English] FQD12P10TM-F085 PDF - EN.pdf -
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